[发明专利]一种具有双结的红外光发光二极管在审
| 申请号： | 201511035172.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633226A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黄俊凯;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/08;H01L33/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有双结的红外光发光二极管，以隧穿结串连两个多量子阱，所述隧穿结是重掺杂P型AlXGa1-XAs材料与重掺杂N型AlXGa1-XAs或重掺杂N型InGaP材料相接而成。用隧穿结串联两个发光二极管，其上部活性层与底部活性层同时发光，使得发光强度更强，可以获得单结型发光二极管1.5倍以上发光亮度，并且可以复合不同波长，达到调适波长的效果，形成高效率且复合发光波长的双结红外光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 红外光 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有双结的红外光发光二极管，其特征在于：以隧穿结串连两个多量子阱，所述隧穿结是重掺杂P型AlXGa1‑XAs材料与重掺杂N型AlXGa1‑XAs或重掺杂N型InGaP材料相接而成。
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