[发明专利]双写入器头设计有效
| 申请号： | 201511035970.6 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105761729B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 高凯中;E·盖奇;尹华清;陈永华 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/11 | 分类号： | G11B5/11;G11B5/29 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双写入器头设计。一种存储设备，包括具有多个写元件的换能器头，该多个写元件具有不同尺寸的写极。例如，该换能器头可包括不同宽度的两个写极，该两个写极被配置成向存储介质的同一表面写入。存储设备的控制器被配置成选择性地接合该多个写元件中的一个以向存储介质写入数据。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 设计 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：换能器头，所述换能器头包括具有不同的写极宽度的两个写元件，所述两个写元件被配置成向存储介质的同一表面写入；控制器，被配置成利用所述两个写元件中的第一个向所述存储介质的第一组交替的数据磁道写入数据，并且被配置成利用所述两个写元件中的第二个向所述存储介质的第二组交替的数据磁道写入数据。
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