[实用新型]一种具有防断栅电极结构的太阳能电池片有效
申请号: | 201520004992.5 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN204315585U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 陈聪;邹春梅;李小鹏;吴而义;李华;刘林华;范琼 | 申请(专利权)人: | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有防断栅电极结构的太阳能电池片,包括主栅线、副栅线和防断栅线,所述主栅线与若干条互相平行的副栅线垂直交叉;所述相邻主栅线间分布有与所述主栅线平行的两条防断栅线;所述防断栅线垂直分布在若干条副栅线的间隔处,其中一条防断栅线垂直分布在偶数间隔处,另一条防断栅线垂直分布在奇数间隔处;本实用新型可提高电流搜集能力,降低串联电阻,从而提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 防断栅 电极 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有防断栅电极结构的太阳能电池片,其特征在于:包括主栅线(1)、副栅线(2)和防断栅线(3),所述主栅线(1)与若干条互相平行的副栅线(2)垂直交叉;所述相邻主栅线(1)间分布有与所述主栅线(1)平行的两条防断栅线(3);所述防断栅线(3)垂直分布在若干条副栅线(2)的间隔处,其中一条防断栅线(3)垂直分布在偶数间隔处,另一条防断栅线(3)垂直分布在奇数间隔处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡德鑫太阳能电力有限公司,未经无锡德鑫太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520004992.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池组件
- 下一篇:双层GaN纳米线太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的