[实用新型]一种组合式锂电池有效

专利信息
申请号: 201520007111.5 申请日: 2015-01-07
公开(公告)号: CN204334057U 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 严怀军 申请(专利权)人: 严怀军
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 侯蔚寰
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种组合式锂电池,包括电池组和与其电连接的充电保护集成电路,充电保护集成电路上设有型号为UCC3957的芯片U1,芯片U1的引脚VDD上接有P沟道MOSFET晶体管Q1和P沟道MOSFET晶体管Q2,这两个P沟道MOSFET晶体管的漏极与源极之间各接一个二极管,两个二极管方向相反,所述芯片U1的引脚AN4与BATLO之间接有电流检测电阻R2,引脚CDLY1与CDLY2上分别连接一个接地的电容,电池组的低电位端连接到芯片U1的引脚AN4,高电位端连接到引脚VDD上,每两节电池的连接点按顺序连接到引脚AN1、AN2、AN3上。本实用新型的充电保护集成电路能够对电池组中任一节电池进行两级保护,既可对短路提供快速的响应,又可使电池组承受一定浪涌电流,防止由于滤波电容较大而引起不必要的过电流误保护动作。
搜索关键词: 一种 组合式 锂电池
【主权项】:
一种组合式锂电池,包括电池组和与所述电池组电连接的充电保护集成电路,其特征在于:所述充电保护集成电路上设有型号为UCC3957的芯片U1,所述芯片U1的引脚VDD上连接有P沟道MOSFET晶体管Q1和P沟道MOSFET晶体管Q2,所述P沟道MOSFET晶体管Q1的漏极与源极之间连接有二极管VD1,所述P沟道MOSFET晶体管Q2的漏极与源极之间连接有二极管VD2,所述二极管VD1和二极管VD2方向相反,所述芯片U1的引脚AN4与引脚BATLO之间还连接有电流检测电阻R2,引脚CDLY1上连接有电容C4,引脚CDLY2上连接有电容C3,所述电容C3和电容C4分别接地,所述电池组的低电位端连接到所述芯片U1的引脚AN4,高电位端连接到引脚VDD上,每两节电池的连接点按顺序连接到引脚AN1、AN2、AN3上。
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