[实用新型]倒装LED芯片有效

专利信息
申请号: 201520009033.2 申请日: 2015-01-07
公开(公告)号: CN204706582U 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 袁章洁;许顺成 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 沈林华
地址: 423038 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型提供了一种倒装LED芯片,包括:衬底;外延层,设置于衬底上;透明导电层,设置于外延层上;P型电极和N型电极,分别间隔设置于透明导电层与外延层上,N型电极还包括条状N型电极,条状N型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成;P型电极还包括条状P型电极,条状P型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成;绝缘层,设置于P型电极、N型电极与外延层上;焊盘,设置于绝缘层之上。本实用新型提供的倒装LED芯片中的各电极为枝条状,设置于倒装LED芯片的顶面上,使得电流在LED芯片中的运动面积更大,提高电流在芯片中的分别均匀性和扩散面积,提高发光亮度。
搜索关键词: 倒装 led 芯片
【主权项】:
一种倒装LED芯片,包括:衬底;外延层,设置于所述衬底上;P型电极和N型电极,分别间隔设置于所述外延层上,其特征在于,所述N型电极还包括条状N型电极,所述条状N型电极在所述倒装LED芯片内沿所述倒装LED芯片的横向延伸形成;所述P型电极还包括条状P型电极,所述条状P型电极在所述倒装LED芯片内沿所述倒装LED芯片的横向延伸形成。
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