[实用新型]显示像素电路和显示像素结构有效
| 申请号： | 201520020553.3 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN204360062U | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 野津大辅;山形裕和;大泽裕史;林上智;张世昌;陈右铮 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;陈颖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的实施方式涉及一种显示像素电路和显示像素结构。一种显示器可以具有滤色镜层和薄膜晶体管层。一层液晶材料可以位于该滤色镜层和薄膜晶体管(TFT)层之间。该TFT层可以包括形成于玻璃衬底顶部的薄膜晶体管。钝化层可以形成于该薄膜晶体管层上。第一低k介电层可以形成于该钝化层之上。数据线布线结构可以形成于该第一低k介电层之上。第二低k介电层可以形成于该第一低k介电层之上。共用电压电极和相关联的存储电容可以形成于该第二低k介电层之上。该第一低k介电层和第二低k介电层可以由具有基本上相似折射率的材料形成，以使得背光透射比最大化并且可以具有适当厚度从而使得寄生电容负载最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 像素 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种显示像素电路，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄膜晶体管结构；形成于所述薄膜晶体管结构上方的第一介电层；以及形成于所述第一介电层上的第二介电层，其中所述第一介电层和所述第二介电层具有基本上相似的折射率。
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