[实用新型]半导体发光器件

摘要

半导体发光器件，包括衬底、形成于衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层；还包括低温氮化镓层，低温氮化镓层形成于N型氮化镓层上，且其上形成若干凹坑；应力释放层，应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于低温氮化镓层上的1至K层In_x(k)Ga_1-x(k)N构成，其中，第k层In_x(k)Ga_1-x(k)N的厚度d_k小于第k-1层In_x(k-1)Ga_1-x(k-1)N的厚度d_k-1，且x(k)＞x(k-1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化镓层覆盖凹坑。本实用新型通过根据量子阱的铟的组分调整应力释放层中InGaN的层数及总厚度，使各层InGaN的铟的组分从底层至表面递增，厚度递减，达到逐步释放应力的目的。

主权项

半导体发光器件，包括：衬底、形成于所述衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层；其特征在于，还包括低温氮化镓层，所述低温氮化镓层形成于所述N型氮化镓层上，且其上形成若干凹坑；应力释放层，所述应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于所述低温氮化镓层上的1至K层In_x(k)Ga_1‑x(k)N构成，其中，第k层In_x(k)Ga_1‑x(k)N的厚度d_k小于第k‑1层In_x(k‑1)Ga_1‑x(k‑1)N的厚度d_k‑1，且x(k)＞x(k‑1)，k＝1,…,K，K≤5；所述P型氮化镓层覆盖所述凹坑。