[实用新型]GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池有效
| 申请号： | 201520041666.1 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN204315586U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高鹏;郭辉;黄海栗;苗东铭;胡彦飞;张玉明 | 申请（专利权）人： | 中电投西安太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型给公开了一种GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池。其自上而下包括增透膜(1)、栅线层(3)、P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)、N型硅衬底(6)和背面电极(7)。栅线层(3)的周围设有正面电极(2)，该正面电极(2)与栅线连接，且上面设有金属接触电极(8)。其中正面电极(2)和背面电极(7)均采用厚度为100-200nm的多层石墨烯材料，栅线层(3)由相互交叉堆叠的GaN纳米线构成，每根纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm。该实用新型能够降低太阳能电池表面对光的反射损失，提高载流子的收集效率，降低生产成本，可用于光伏发电。 | ||
| 搜索关键词： | gan 纳米 石墨 电极 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，自上而下包括增透膜(1)、栅线层(3)、P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)、N型硅衬底(6)和背面电极(7)，栅线层(3)的周围设有正面电极(2)；该正面电极(2)与栅线连接，且上面设有金属接触电极(8)，其特征在于：栅线层(3)由相互交叉堆叠的GaN纳米线构成，正面电极(2)和背面电极(7)采用多层石墨烯材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
