[实用新型]基于硅纳米线阵列的太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池。其包括背电极(6)和N型硅衬底(5)，其中N型硅衬底(5)的上表面采用纳米线阵列结构，每根硅纳米线的直径为40-80nm，长度为5-10μm；该纳米线阵列结构表面依次层叠有本征非晶硅层(4)、P型非晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)。本实用新型由于采用硅纳米线阵列结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，有利于提高换能机构对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

主权项

一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池，包括背电极(6)和N型硅衬底(5)，其特征在于：N型硅衬底(5)的上表面采用纳米线阵列结构，该纳米线阵列结构表面上依次层叠有本征非晶硅层(4)、P型非晶硅层(3)和ITO氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)。