[实用新型]硅片刻蚀设备有效
申请号: | 201520044777.8 | 申请日: | 2015-01-22 |
公开(公告)号: | CN204332925U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 许明金;邓清龙;符昌京;王诗造;陈耀军 | 申请(专利权)人: | 海南英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 海南省海口市国家高新技术*** | 国省代码: | 海南;66 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了硅片刻蚀设备,包括水膜喷淋装置和设置在水膜喷淋装置下方的传动滚轮,传动滚轮的下方设置有校正槽和刻蚀槽,且沿待刻蚀的硅片的移动方向,刻蚀槽设置在校正槽的下游;硅片放置在传动滚轮上,在传动滚轮的带动下移动;硅片刻蚀设备还包括:挡水装置,挡水装置设置在水膜喷淋装置的下游,且挡水装置设置在硅片的上方,挤压硅片上的水膜使其平铺在硅片上。本实用新型中的硅片刻蚀设备包括挡水装置,且挡水装置设置在硅片的上方,挤压硅片上的水膜,进而使其平铺在所述硅片上,从而解决了现有技术中的喷淋在硅片上的水膜不能均匀地覆盖在硅片上的问题。 | ||
搜索关键词: | 硅片 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
一种硅片刻蚀设备,包括水膜喷淋装置(10)和设置在所述水膜喷淋装置(10)下方的传动滚轮(20),所述传动滚轮(20)的下方设置有校正槽(30)和刻蚀槽(40),且沿待刻蚀的硅片(50)的移动方向,所述刻蚀槽(40)设置在所述校正槽(30)的下游;所述硅片(50)放置在所述传动滚轮(20)上,在所述传动滚轮(20)的带动下移动;其特征在于,所述硅片刻蚀设备还包括:挡水装置(60),所述挡水装置(60)设置在所述水膜喷淋装置(10)的下游,且所述挡水装置(60)设置在所述硅片(50)的上方,挤压所述硅片(50)上的水膜(70)使其平铺在所述硅片(50)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海南英利新能源有限公司,未经海南英利新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520044777.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:IGBT模块
- 下一篇:一种含绝缘隔板的跌落式熔断器熔丝装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造