[实用新型]多晶硅沉积炉

摘要

本实用新型涉及晶体生长设备，公开了一种多晶硅沉积炉，包括：由底盘和外壳形成的炉体、至少一根进气管、数根硅芯和硅芯加热装置；进气管从底盘穿进炉体并分布于硅芯之间；进气管分为内层和外层：内层一端封闭形成一个进气腔，用于通入含硅气体，另一端与外部连通形成进气管路；进气腔上分布有不与外层导通的喷嘴，喷嘴连接进气腔和炉体，外层具有一个环绕内层的导热通道，导热通道内注有导热介质。通过对进气管结构的改进和针对该改进对炉体内硅芯的位置作了适应性的排布，有效地减少了含硅原料气体的自分解，提高了沉积率。

主权项

一种多晶硅沉积炉，包括：由底盘和外壳形成的炉体、至少一根进气管、数根硅芯和硅芯加热装置；所述进气管从所述底盘穿进所述炉体并分布于所述硅芯之间；其特征在于：所述进气管分为内层和外层：所述内层一端封闭形成一个进气腔，用于通入含硅气体，另一端与外部连通形成进气管路；所述进气腔上分布有不与所述外层导通的喷嘴，所述喷嘴连接所述进气腔和所述炉体，所述外层具有一个环绕所述内层的导热通道，所述导热通道内注有导热介质。