[实用新型]一种微型化垂直式各向异性磁电阻元件

摘要

本实用新型提供一种微型化垂直式各向异性磁电阻元件，包括：磁参考层、磁记忆层、隧道势垒层、晶格优化层；其中，磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，隧道势垒层位于磁记忆层与磁参考层之间，晶格优化层与磁记忆层相邻；磁记忆层包括第一磁记忆层和第二磁记忆辅助层，第一磁记忆层为Co合金材料，所述Co合金材料为CoFeB、CoB或CoFeSiB，第二磁记忆辅助层为BaTiO₃、PbTiO₃或ZrTiO₃。该微型化垂直式各向异性磁电阻元件，能够减小阻尼系数、增大电流自旋极化率、减小面积，进一步减小写电流，从而实现磁存储的微型化。

主权项

一种微型化垂直式各向异性磁电阻元件，包括：磁参考层、磁记忆层、隧道势垒层、晶格优化层；所述磁参考层的磁化方向不变，且所述磁参考层的磁各向异性垂直于层表面；所述磁记忆层的磁化方向可变，且所述磁记忆层的磁各向异性垂直于层表面；所述隧道势垒层位于所述磁记忆层与所述磁参考层之间；所述晶格优化层与所述磁记忆层相邻；所述磁记忆层包括第一磁记忆层和第二磁记忆辅助层，第一磁记忆层和第二磁记忆辅助层为一层或多层且呈交替结构；所述第一磁记忆层为Co合金材料；所述Co合金材料为CoFeB、CoB或CoFeSiB；所述第二磁记忆辅助层为BaTiO₃、PbTiO₃和ZrTiO₃中的一种。