[实用新型]一种多晶硅还原炉电源柜有效
申请号: | 201520071109.4 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN204481354U | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 王清华;杨明;聂彬彬 | 申请(专利权)人: | 重庆大全泰来电气有限公司 |
主分类号: | H02B1/30 | 分类号: | H02B1/30;H02B1/24;H02H7/22;H02H9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 404001 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种多晶硅还原炉电源柜,包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元,所述电源柜包括前室和后室。利用本申请提供的多晶硅还原炉电源柜,既能使还原炉功率供给单元免受高压损伤,又能为多晶硅还原炉提供功率,另外,还采用了前室和后室相结合的纵向布局结构,减少了设备占地面积,还能减少铜排和高压电缆的长度,从而节约材料和设备投资,减少设备安装时间和安装费用。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 电源 | ||
【主权项】:
一种多晶硅还原炉电源柜,其特征在于,包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元,所述电源柜包括前室和后室;所述高压隔离保护单元包括:设置于所述电源柜后室上部的真空断路器;设置于所述电源柜前室下部的真空接触器;所述还原炉功率供给单元包括:设置于所述电源柜前室上部的可控硅、高压熔断器和水冷组件;设置于所述电源柜后室中部的接地监测装置和阻容保护器;设置于所述电源柜前室下部的电压互感器;设置于所述电源柜后室下部的电抗器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大全泰来电气有限公司,未经重庆大全泰来电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520071109.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。