[实用新型]一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器有效

专利信息
申请号: 201520076941.3 申请日: 2015-02-04
公开(公告)号: CN204462360U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 215634 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器,包括高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器及校准线圈和/或重置线圈,所述校准线圈为平面线圈,所述重置线圈为平面或三维线圈,所述平面校准线圈和平面重置线圈可以位于衬底之上磁电阻传感单元之下、磁电阻传感单元和软磁通量引导器之间、软磁通量引导器之上或间隙处,所述三维重置线圈缠绕软磁通量引导器和磁电阻传感单元,所述校准线圈和重置线圈分别在磁电阻单元处产生平行于钉扎层方向的校准磁场和自由层方向的均匀重置磁场。本实用新型通过控制校准线圈/重置线圈电流可实现单芯片X轴线性磁电阻传感器校准及磁状态重置,具有高效、快速、操作方便优点。
搜索关键词: 一种 芯片 具有 校准 线圈 重置 强度 磁场 轴线 磁电 传感器
【主权项】:
一种单芯片具有校准线圈/重置线圈的高强度磁场X轴线性磁电阻传感器,其特征在于,包括高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器、校准线圈和/或重置线圈;所述高强度磁场单芯片参考桥式X轴磁电阻传感器包括位于衬底之上交错排列的参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串,以及长条形软磁通量引导器,所述软磁通量引导器包括屏蔽器和衰减器,所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串分别位于所述屏蔽器和所述衰减器表面的Y轴中心线位置,所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串电连接成参考桥式结构,敏感方向为X轴方向,所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串均包括多个磁电阻单元;所述校准线圈为平面线圈,包括平行且串联连接的分别对应于所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串的参考直导线和敏感直导线,所述参考直导线和所述敏感直导线分别在所述参考磁电阻传感单元串和敏感磁电阻传感单元串位置处沿磁电阻传感单元敏感方向产生参考校准磁场和敏感校准磁场;所述重置线圈包括多个垂直于所述敏感磁电阻传感单元串和参考磁电阻传感单元串的重置直导线,并在所有磁电阻传感单元串处沿垂直于敏感方向产生相同重置磁场。
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