[实用新型]一种新型半导体芯片结构有效
| 申请号： | 201520082885.4 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN204516770U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李子明 | 申请（专利权）人： | 上海智晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型半导体芯片结构，包括用作于衬底的半导体芯片，在所述半导体片材上扩散第一有源区和第二有源区；所述第一有源区的主体为环形，在环形的内部设有空心结构，所述第二有源区位于空心结构内，且第二有源区的四条外边分别与第一有源区空心结构的四条内边内边接触。本实用新型在保证芯片总面积和每个芯片面积基本不变的情况下，将两个芯片的接触长度变为2.75倍，增加了芯片的通流量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种新型半导体芯片结构，包括用作于基板的半导体芯片，在所述半导体片材上设有第一有源区和第二有源区；其特征在于：所述第一有源区的主体为环形，在环形的内部设有空心结构，所述第二有源区位于空心结构内，且第二有源区的四条外边分别与第一有源区空心结构的四条内边内边接触。
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