[实用新型]功率半导体器件的组合封装结构有效

专利信息
申请号: 201520085189.9 申请日: 2015-02-06
公开(公告)号: CN204391107U 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 张志平 申请(专利权)人: 张志平
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/29;H01L23/367
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 樊灵芬
地址: 441000 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型的名称是功率半导体器件的组合封装结构,具体是涉及一只和多只功率半导体器件芯片封装及组合封装结构。它主要是解决市场上的功率半导体器件采用陶瓷管壳封装,在腔体内充保护气,该结构成本高,限制了功率半导体芯片的组合封装,导体器件芯片的密封质量不好,导致芯片提前失效的问题。本实用新型包括外壳和芯片,以及阴极块和阳极块构成的功率半导体器件单元,其特征是:外壳与功率半导体器件之间的腔体内填充有硅胶密封材料,至少两个功率半导体器件单元通过公共电极串联或并联封装结构。本实用新型构造简单,结构紧凑,密封隔离性好,封装操作简单方便,适用于大功率半导体器件芯片的单片封装和多片串、并联封装。
搜索关键词: 功率 半导体器件 组合 封装 结构
【主权项】:
一种功率半导体器件的组合封装结构,包括外壳(1)和芯片(2),以及阴极块(5)和阳极块(6)构成的功率半导体器件单元,其特征是:外壳(1)与功率半导体器件之间的腔体(4)内填充有硅胶密封材料,至少两个功率半导体器件单元通过公共电极串联或并联封装结构。
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