[实用新型]新型多晶硅太阳能电池片有效

专利信息
申请号: 201520091123.0 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN204348730U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 叶挺宁 申请(专利权)人: 江西金泰新能源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/042
代理公司: 鹰潭市博惠专利事务所 36112 代理人: 王卿
地址: 335200 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型提供一种新型多晶硅太阳能电池片,包括硅片,硅片的表面设有反折射膜,反折射膜的上面印有主栅线和次栅线,硅片的背面印有背电极,所述主栅线和次栅线呈相互垂直状,所述主栅线具有三根,所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小,呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成,所述背电极具有十五段,且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布,每段背电极皆是竖条状,且每段背电极的边缘连接有若干框线,本实用新型具有浆料耗量少,光电转换效率高等特点。
搜索关键词: 新型 多晶 太阳能电池
【主权项】:
一种新型多晶硅太阳能电池片,包括硅片(1),硅片的表面设有反折射膜(2),反折射膜的上面印有主栅线(3)和次栅线(4),硅片的背面印有背电极(5),所述主栅线和次栅线呈相互垂直状,所述主栅线具有三根,其中一根设置在所述硅片的对称线上,另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧,且各相距52mm,所述次栅线为等距离分布,所述三根主栅线的线宽均为1.4mm,每根次栅线的线宽为40um,每根次栅线的两端距离硅片的边缘的距离均为1.5mm,所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小,呈等腰三角形;所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成,所述氮化硅薄膜钝化层位于二氧化钛薄膜和硅片之间,所述氮化硅薄膜钝化层厚度为 42—45nm,折射率为2.02—2.12,所述二氧化钛薄膜厚度为42—45nm,折射率为2.15—2.25,所述背电极具有十五段,且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布,一列背电极位于硅片背面中间,其余两列背电极各自距离中间一列背电极52mm,每段背电极皆是竖条状,且每段背电极的边缘连接有若干框线(6),所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边,所述背电极是长为18mm且宽为2.3mm的矩形竖条状,且同列背电极之间的间隔为12mm,每列背电极中位于首尾两端的背电极与硅片边缘的间隔各自为9mm。
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