[实用新型]一种具有多层辅助层的磁电阻元件有效
| 申请号： | 201520092224.X | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN204481055U | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有多层辅助层的磁电阻元件，包括磁参考层、磁记忆层、隧道势垒层、至少三层辅助层、保护层。所述磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述磁记忆层是单层或多层结构；所述隧道势垒层设置在所述磁记忆层与所述磁参考层之间且分别与所述磁记忆层与所述磁参考层相邻；所述至少三层辅助层依次相邻设置，所述至少三层辅助层均是电负性低于所述磁记忆层中金属的电负性的金属层，且所述至少三层辅助层间具有电负性以及与B的键结合度的强弱梯度，所述至少三层辅助层设置在所述磁记忆层与所述保护层之间且分别与所述磁记忆层与所述保护层相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 辅助 磁电 元件 | ||
【主权项】：
一种磁电阻元件，包括磁参考层，所述磁参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；磁记忆层，所述磁记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述磁记忆层是单层或多层结构；隧道势垒层，所述隧道势垒层设置在所述磁记忆层与所述磁参考层之间且分别与所述磁记忆层与所述磁参考层相邻；其特征在于，还包括依次相邻设置的第1辅助层、第2辅助层……第n‑1辅助层、第n辅助层，n为总层数且大于2；所述第1辅助层与所述磁记忆层相邻，所述第1辅助层是电负性低于所述磁记忆层中金属的电负性的金属层，所述第2辅助层是电负性低于所述第1辅助层中金属的电负性的金属层……所述第n辅助层是电负性低于所述第n‑1辅助层中金属的电负性的金属层；保护层，所述保护层与所述第n辅助层相邻。
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