[实用新型]半导体阵列探测器有效
| 申请号： | 201520095084.1 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN204558476U | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐恒;龚岚;黄成刚;张晓栋 | 申请（专利权）人： | 四川中测辐射科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 曾娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体阵列探测器，包括光电二极管芯片和CaF2(Eu)片，所述的半导体阵列探测器还包括陶瓷基座，所述陶瓷基座设置有凹槽，所述陶瓷基座两侧设置有预设引脚；所述光电二极管芯片贴合在所述凹槽底部，所述光电二极管芯片的引脚与所述预设引脚焊接；所述CaF2(Eu)片通过透明粘接介质粘接在所述光电二极管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通过黑色电子灌封胶密封。本实用新型可以将CaF2(Eu)、光电二极管芯片完全密封在陶瓷基座上，根本上解决了CaF2(Eu)的轻微潮解问题和使用过程可能存在的可见光漏光干扰的问题。能很好的防止CaF2(Eu)的轻微潮解，抗干扰能力强，并且有更长的使用寿命和稳定的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 阵列 探测器 | ||
【主权项】：
一种半导体阵列探测器，它包括光电二极管芯片和CaF2(Eu)片，其特征在于所述的半导体阵列探测器还包括陶瓷基座，所述陶瓷基座设置有凹槽，所述陶瓷基座两侧设置有预设引脚；所述光电二极管芯片贴合在所述凹槽底部，所述光电二极管芯片的引脚与所述预设引脚焊接；所述CaF2(Eu)片通过透明粘接介质粘接在所述光电二极管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通过黑色绝缘电子灌封胶密封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
