[实用新型]控制溶液氟离子装置有效

专利信息
申请号: 201520098273.4 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN204702589U 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 谭发祥 申请(专利权)人: 崇越科技股份有限公司
主分类号: C02F9/04 分类号: C02F9/04;C02F101/14
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;尚群
地址: 中国台湾台北市内*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种控制溶液氟离子装置,包含溶液反应设备、第一输送设备以及第二输送设备。溶液反应设备包含桶槽,桶槽装有含氟离子废水;第一输送设备连接溶液反应设备,输送含钙盐添加物至桶槽,含钙盐添加物与含氟离子废水反应形成第一溶液,其包含氟化钙沉淀物以及氟离子;第二输送设备连接溶液反应设备,输送含磷酸盐废水或含磷酸盐污泥至桶槽,含磷酸盐废水(或含磷酸盐污泥)与第一溶液反应形成第二溶液,其包含羟基磷酸钙沉淀物、氟化钙沉淀物以及氟离子,其中,部分的氟离子吸附于羟基磷酸钙沉淀物。
搜索关键词: 控制 溶液 离子 装置
【主权项】:
一种控制溶液氟离子装置,其特征在于,包含:一溶液反应设备,包含一装有一含氟离子废水的桶槽;一输送一含钙盐添加物至该桶槽,与该含氟离子废水反应形成一包含氟化钙沉淀物以及氟离子的第一溶液的第一输送设备,连接该溶液反应设备;及一输送一含磷酸盐废水或一含磷酸盐污泥至该桶槽,与该第一溶液反应形成一包含羟基磷酸钙沉淀物、该氟化钙沉淀物以及该氟离子的第二溶液的第二输送设备,连接该溶液反应设备;其中,部分该氟离子吸附于该羟基磷酸钙沉淀物。
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