[实用新型]具有量子阱结构的碲化镉薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520104491.4 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN204424275U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0749;H01L31/0352 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;刘佳芳 |
地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有量子阱结构的碲化镉薄膜太阳能电池,该电池包括由CdTe吸收层和CdS窗口层所形成的pn结,所述碲化镉薄膜太阳能电池的pn结构中的CdTe吸收层包括由多个周期所形成的量子阱结构。这种量子阱能够分离和捕捉游离电子,在太阳光的激发下,形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。该量子阱结构避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成,制备了致密的、晶粒尺寸大小均匀、能隙匹配的高质量的薄膜,同时,量子阱结构有利于对太阳光的充分吸收。因而,进一步提高了碲化镉薄膜太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 量子 结构 碲化镉 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有量子阱结构的碲化镉薄膜太阳能电池,包括由CdTe吸收层和CdS窗口层所形成的pn结,其特征是,所述碲化镉薄膜太阳能电池的pn结中的CdTe吸收层包括由多个周期所形成的量子阱结构,其中一个周期包括晶体结构相同而能隙不同的上下两层,上层为高能隙层,下层为低能隙层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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