[实用新型]一种高容值MOS管器件有效
| 申请号： | 201520123592.6 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN204516771U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王春来;孙申权 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦积电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518042 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及MOS管器件的技术领域，具体涉及一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，还包括：金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。本实用新型通过在MOS管栅极上覆盖一层金属层，并形成一寄生电容从而增大MOS电容值，进而节省电路面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高容值 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种高容值MOS管器件，包括设置在衬底上的栅极，其特征在于，还包括：金属区，其覆盖在栅极上，并与栅极形成一电容；绝缘层，其设置在栅极和金属区之间。
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