[实用新型]一种具有双绝缘层的发光二极管阵列有效

专利信息
申请号: 201520125009.5 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN204441288U 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 冯亚萍;张溢;金豫浙;李志聪;孙一军;王国宏 申请(专利权)人: 扬州中科半导体照明有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人: 江平
地址: 225009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种具有双绝缘层的发光二极管阵列,涉及发光二极管芯片的生产技术领域。本实用新型以阵列将各发光单元布置在同一透明基板上,相邻的发光单元通过金属导电层使微晶粒实现串并联,大大简化了芯片模组中的固晶、键合数量,提升了封装产品良率,降低了封装成本;单位面积内形成的多颗芯片集成,避免了芯片间BIN内如波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题。同时这种发光二极管阵列还可以作为单元,再次进行串并联拼接,形成更大功率的模组。特别是本实用新型采用在隔离深槽内设置两层透明绝缘层的方式,能够得到性能稳定、可靠性高、适合大规模量产的发光二极管阵列。
搜索关键词: 一种 具有 绝缘 发光二极管 阵列
【主权项】:
一种发光二极管芯片阵列,其特征在于:在同一透明基板同一侧间隔地阵列式设置至少两个由N型半导体层、有源层、P型半导体层、电流阻挡层和透明导电层组成的发光单元,各发光单元的N型半导体层设置在透明基板上,有源层设置在N型半导体层上,P型半导体层设置在有源层上,电流阻挡层设置在部分P型半导体层上,在部分P型半导体层和电流阻挡层上设置透明导电层;相邻的两个发光单元之间设置隔离深槽,在隔离深槽的底部和侧壁设置内、外两层透明绝缘层;在相邻的两个发光单元中的一个发光单元的N型半导体层和另一个发光单元的透明导电层之间设置金属导电层;在阵列中一个发光单元的N型半导体层上设置N焊线电极,另一个发光单元的透明导电层上设置P焊线电极。
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