[实用新型]新型LED覆晶芯片有效
| 申请号： | 201520127604.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN204481050U | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 尤俊龙 | 申请（专利权）人： | 尤俊龙 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型LED覆晶芯片,包括芯片本体，所述芯片本体包括基板层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层、金属反射层、电极层以及薄膜绝缘层；所述电极层、第一绝缘层、金属反射层、DBR反射层、透明导电层以及基板层由上至下顺序设置；所述芯片本体一侧设置有蚀刻槽位，所述蚀刻槽位位于电极层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层以及金属反射层上形成台阶状，所述蚀刻槽的底部分为覆盖部与切割部，靠近蚀刻槽的所述透明导电层、DBR反射层与金属反射层的端部与蚀刻槽的侧壁及底部覆盖部均覆盖有连成一体的薄膜绝缘层。本方案便于切割，提高芯片的电性能；还具有生产效率高，适合工业生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种新型LED覆晶芯片，包括芯片本体，其特征在于，所述芯片本体包括基板层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层、金属反射层、电极层以及薄膜绝缘层；所述电极层、第一绝缘层、金属反射层、DBR反射层、透明导电层以及基板层由上至下顺序设置；所述芯片本体一侧设置有蚀刻槽位，所述蚀刻槽位位于电极层、第一绝缘层、透明导电层、DBR反射层以及金属反射层上形成台阶状，所述蚀刻槽的底部分为覆盖部与切割部，靠近蚀刻槽的所述透明导电层、DBR反射层与金属反射层的端部与蚀刻槽的侧壁及底部覆盖部均覆盖有连成一体的薄膜绝缘层。
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