[实用新型]一种P型太阳能电池片有效
申请号: | 201520138207.5 | 申请日: | 2015-03-05 |
公开(公告)号: | CN204558484U | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0368 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325025 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种P型太阳能电池片,P型硅片、PN结、N型硅片及电极,其特征在于:所述P型硅片具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上,所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米~200微米,所述PN结的厚度为0.3微米~0.5微米,所述N型硅片的厚度为50微米~70微米,本实用新型P型硅片的多晶绒面结构,并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结,由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高,致使少子载流子寿命高,提高了光电转换效率、降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种P型太阳能电池片,P型硅片(1)、PN结(2)、N型硅片(3)及电极(4),其特征在于:所述P型硅片(1)具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结(2)和所述N型硅片(3)依次镀在所述P型硅片(1)正面上,所述电极(4)依次穿过P型硅片(1)、PN结(2)和N型硅片(3)形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米~200微米,所述PN结(2)的厚度为0.3微米~0.5微米,所述N型硅片(3)的厚度为50微米~70微米。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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