[实用新型]基于氧化物的紫外光敏传感器有效
| 申请号： | 201520145456.7 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN204516781U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郭也平;徐传毅;王珊 | 申请（专利权）人： | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/036 | 分类号： | H01L31/036;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 宋菲;刘云贵 |
| 地址： | 063000 河北省唐山市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于氧化物的紫外光敏传感器，包括：基底、氧化物涂层、第一电极和第二电极；其中，氧化物涂层形成在基底上，用于探测紫外光；第一电极和第二电极相互不接触，作为基于氧化物的紫外光敏传感器的电信号输出端。该基于氧化物的紫外光敏传感器不仅简化了紫外光敏传感器的制作工艺，降低了成本，同时还显著提高了紫外光敏传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 紫外 光敏 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于氧化物的紫外光敏传感器，其特征在于，包括：基底、氧化物涂层、第一电极和第二电极；其中，所述氧化物涂层形成在所述基底上，用于探测紫外光；所述第一电极和所述第二电极相互不接触，作为所述基于氧化物的紫外光敏传感器的电信号输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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