[实用新型]一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构有效
| 申请号： | 201520149937.5 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN204481030U | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 黄诗浩;陈佳新;谢文明;林抒毅;聂明星;邵明;林承华;蒋新华 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/22;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 王晓彬 |
| 地址： | 350118 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构，所述绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构自下而上依次为硅衬底层、阻止N型杂质原子向硅衬底层扩散的SiO2埋层、N型掺杂锗薄膜层和由Si氧化生成的SiO2层，所述SiO2埋层的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜层的厚度为≤30nm；N型掺杂锗薄膜层中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素，掺杂元素的浓度≥1017cm-3。本实用新型的N型掺杂锗具有更高的晶体质量和掺杂浓度，锗薄膜中载流子的激活率也较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 层上高 浓度 掺杂 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构，其特征在于，所述绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构自下而上依次为硅衬底层、阻止N型杂质原子向硅衬底层扩散的SiO2埋层、N型掺杂锗薄膜层和由Si氧化生成的SiO2层，所述SiO2埋层的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜层的厚度为≤30nm；所述N型掺杂锗薄膜层中掺杂元素的浓度≥1017cm‑3。
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