[实用新型]一种自举升压式双向可控硅控制电路有效
| 申请号： | 201520154552.8 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN204578507U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 赵勇 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 秦华云 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种自举升压式双向可控硅控制电路，涉及双向可控硅控制领域。一种自举升压式双向可控硅控制电路，它包括电源电路和双向可控硅控制电路。所述电源电路包括整流滤波电路、降压滤波电路及稳压电路；所述双向可控硅控制电路使用一只低成本二极管和电解电容替换高压光电耦合器，实现对双向可控硅的控制。其电路结构简单，成本低廉，功能易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 升压 双向 可控硅 控制电路 | ||
【主权项】：
一种自举升压式双向可控硅控制电路，它包括电源电路和双向可控硅控制电路，所述电源电路包括整流滤波电路、降压滤波电路及稳压电路；其特征在于：所述双向可控硅控制电路包括PNP三极管(V1)、NPN三极管(V2)、电阻(R1)、二极管(VD1)、电解电容(C7)、电阻(R3)、双向可控硅(Q1)和电阻性负载(R2)；所述NPN三极管(V2)的B极接MCU的控制脚，NPN三极管(V2)的C极与PNP三极管(V1)的B极相连；PNP三极管(V1)的E极连接到15V电压，PNP三极管(V1)的C极连接电阻(R1)的一端及二极管(VD1)的正极；二极管(VD1)的负极连接电解电容(C7)的正极和电阻(R3)的一端；电阻(R3)的另一端与双向可控硅(Q1)的G极相连，电解电容(C7)的负极连接到双向可控硅(Q1)的T1极并与交流零线(AC‑N)相连；双向可控硅(Q1)的T2极连接电阻性负载(R2)的一端，电阻性负载(R2)的另一端与交流火线(AC‑L)相连；NPN三极管(V2)的E极和电阻R1的另一端都连接热地。
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