[实用新型]一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜有效
| 申请号： | 201520155435.3 | 申请日： | 2015-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN204596799U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 瞿辉;徐春;曹玉甲;张一源 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213169 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层；所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65～120nm，折射率为1.9～2.25；所述的中间层SiNx层的膜厚为10～50nm，折射率为2.2～2.4；所述的顶层SiNx层的膜厚为30～80nm，折射率为1.9～2.2；所述的顶层SiNx层为单层或多层。采用本实用新型这种钝化减反射膜能够降低反射率，提高钝化效果，从而提高太阳电池效率，且具有非常优良的抗PID衰减特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 抗性 多晶 电池 钝化 减反射膜 | ||
【主权项】：
一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层；所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65～120nm，折射率为1.9～2.25；所述的中间层SiNx层的膜厚为10～50nm，折射率为2.2～2.4；所述的顶层SiNx层的膜厚为30～80nm，折射率为1.9～2.2；所述的顶层SiNx层为单层或多层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
