[实用新型]环绕式SVG功率单元结构有效
| 申请号： | 201520155776.0 | 申请日： | 2015-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN204425195U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 樊得平;刘继新;王开青 | 申请（专利权）人： | 山东泰开电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02J3/18 |
| 代理公司： | 泰安市泰昌专利事务所 37207 | 代理人： | 陈冰 |
| 地址： | 271000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体、以及分别设于壳体内的IGBT、IGBT用散热器、薄膜电容器和驱动大板，IGBT用散热器位于壳体内的中间位置，IGBT和薄膜电容器分别位于IGBT用散热器的前后两侧，驱动大板位于IGBT用散热器的上部，IGBT和薄膜电容器之间通过复合母排连接。该功率单元内部为环绕式紧凑结构，各器件围绕散热器进行环绕式布置，每个器件之间的距离合理选择匹配，减小了功率单元的整体体积，便于功率单元的生产、储备、安装、扩展和维修等。 | ||
| 搜索关键词： | 环绕 svg 功率 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种环绕式SVG功率单元结构，包括壳体（1）、以及分别设于壳体（1）内的IGBT（3）、IGBT用散热器（4）、薄膜电容器（6）和驱动大板（2），其特征在于：IGBT用散热器（4）位于壳体（1）内的中间位置，IGBT（3）和薄膜电容器（6）分别位于IGBT用散热器（4）的前后两侧，驱动大板（2）位于IGBT用散热器（4）的上部， IGBT（3）和薄膜电容器（6）之间通过复合母排（5）连接。
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