[实用新型]半导体装置和电子设备有效
申请号: | 201520157625.9 | 申请日: | 2015-03-19 |
公开(公告)号: | CN204760376U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 古原健二;大美贺孝 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍;樊一槿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备,该半导体装置包括:第一内部引线;第二内部引线,其与所述第一内部引线分开设置;以及电子元件,其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线;其中,所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构,并且,所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面,并且,所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。根据本实用新型实施例,能够缓和电子元件与内部引线的连接部位的应力,提高电子元件的稳固性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一内部引线;第二内部引线,其与所述第一内部引线分开设置;以及电子元件,其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线;其特征在于,所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构,并且,所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面,并且,所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520157625.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。