[实用新型]一种三维叠层封装结构

摘要

本实用新型涉及一种三维叠层封装结构，属于半导体封装技术领域。其芯片Ⅰ1为两个或两个以上，且横向和/或纵向分布，芯片Ⅱ为两个或两个以上，且横向和/或纵向分布，所述芯片Ⅰ由背面嵌入包封体Ⅰ内，所述芯片Ⅰ的上表面和包封体Ⅰ的上表面设置再钝化层，所述再钝化层的表面选择性地设置再布线金属层Ⅰ和包封体Ⅱ，所述芯片Ⅱ与再布线金属层Ⅰ倒装连接，所述包封体Ⅱ包封芯片Ⅱ、再布线金属层Ⅰ，所述包封体Ⅱ的上表面选择性地设置再布线金属层Ⅱ和表面保护层，并露出再布线金属层Ⅱ的输入/输出端。本实用新型提供了一种不依赖封装基板、实现多芯片封装且实现封装尺寸小型化、并提升封装密度和封装性能的三维叠层封装结构。

主权项

一种三维叠层封装结构，其特征在于：其包括面对面设置的芯片Ⅰ（1）和芯片Ⅱ（5），所述芯片Ⅰ（1）为两个或两个以上，且横向和/或纵向分布，所述芯片Ⅱ（5）为两个或两个以上，且横向和/或纵向分布，所述芯片Ⅰ（1）由背面嵌入包封体Ⅰ（2）内，所述包封体Ⅰ（2）的上表面露出芯片Ⅰ（1）的正面，所述芯片Ⅰ（1）的正面和包封体Ⅰ（2）的上表面设置再钝化层（3），所述再钝化层（3）于芯片Ⅰ（1）的芯片电极的上方形成再钝化层开口（31），所述再钝化层开口（31）露出芯片Ⅰ（1）的芯片电极的上表面，所述再钝化层（3）的表面选择性地设置再布线金属层Ⅰ（4）和包封体Ⅱ（7），所述再布线金属层Ⅰ（4）通过再钝化层开口（31）与芯片Ⅰ（1）的芯片电极连接，所述芯片Ⅱ（5）倒装至再布线金属层Ⅰ（4）的上表面，所述包封体Ⅱ（7）包封芯片Ⅱ（5）和再布线金属层Ⅰ（4）；于所述包封体Ⅱ（7）的上表面开设通孔（71），所述通孔（71）位于所述芯片Ⅰ（1）的正面的垂直区域之外的芯片Ⅱ（5）的四周，且直达芯片Ⅱ（5）的四周的再布线金属层Ⅰ（4）的上表面，所述包封体Ⅱ（7）的上表面和通孔（71）内选择性地设置再布线金属层Ⅱ（6）和表面保护层（8），所述再布线金属层Ⅱ（6）于该通孔（71）的底部与再布线金属层Ⅰ（4）连接、并于该包封体Ⅱ（7）的上表面选择性地设置再布线金属层Ⅱ的输入/输出端（63）；所述表面保护层（8）覆盖所述再布线金属层Ⅱ的输入/输出端（63）以外的再布线金属层Ⅱ（6）的表面和包封体Ⅱ（7）裸露的上表面。