[实用新型]逐元暗电流抑制的CMOS红外探测器读出电路有效

专利信息
申请号: 201520185693.6 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN204514480U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 宋伟清;袁红辉;周廉;白涛 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种逐元暗电流抑制的CMOS红外探测器读出电路,读出电路包括输入电路、积分电路、输出电路三部分。输入电路采用电流存储单元和电流镜相结合的结构。其中,电流存储单元分布在线列电路每个象元中,由传输门、虚拟开关对以及电容耦合回路组成,可以实现暗电流定制化调制;电流镜布局在线列电路的左右两端,可以实现暗电流整体抑制。本实用新型的优点在于:输入端电流存储单元的设计可以有效降低探测器信号非均匀性;输入端电流镜设计有粗调和微调两个调节端口既扩大了电路对中长波红外探测器工作电流的适用范围又能精确调节系统的工作状态;电路的功耗低,采用亚微米CMOS工艺制造的重复性好。
搜索关键词: 逐元暗 电流 抑制 cmos 红外探测器 读出 电路
【主权项】:
一种逐元暗电流抑制的CMOS红外探测器读出电路,它包括输入电路、积分电路、输出电路,其特征在于:所述的输入电路采用电流存储单元和电流镜相结合的结构,其中,电流存储单元分布在线列电路每个象元中,设有用于实现暗电流定制化调制的外部电压调节端口;电流镜布局在线列电路的左右两端,电流镜调节端有用于实现暗电流整体抑制的粗调和微调两个外部调节端口;所述的电流存储单元由控制开关、传输门对、虚拟开关对、电容耦合回路以及电流存储管组成,其中,控制开关为一个NMOS管,其栅极设有外部电压调节端口;传输门对由两个CMOS传输门组成,每个CMOS传输门由一个PMOS管和一个NMOS管并联而成;虚拟开关对由两组虚拟开关组成,每组虚拟开关由两个NMOS管组成,其中一个NMOS管源漏短接,并且宽长比是另外一个NMOS管的1/2;电容耦合回路由三个电容组成;电流存储管为NMOS管;控制开关一端连接探测器输入端,一端连接传输门对;传输门对另一端连接两组虚拟开关对;虚拟开关对另一端连接电容耦合回路;而电容耦合回路另一端连接电流存储管栅极,用于存储电流存储管栅极电压;所述的电流镜单元由两组电流镜组成,分别负责粗调和微调;两组电流镜并联连接,每组电流镜由一个NMOS管、两个PMOS管组成;粗调电流镜NMOS管宽长比大于细调电流镜,同时,细调电流镜的两个PMOS管宽长比比值大于粗调电流镜;粗调和细调端口分别加于两个NMOS管栅极上,电流镜输出端连接放大器输入端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520185693.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top