[实用新型]一种蓝光LED用P-N电极有效
| 申请号： | 201520187515.7 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN204538075U | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王传汉 | 申请（专利权）人： | 长治市华光光电科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种蓝光LED用P-N电极，具体涉及一种在P-GaN电极和N-GaN电极，表面依次覆盖有Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜的新型反射电极；所要解决的技术问题是减少Cr对LED元件发射到金属电极部分的光的吸收，提高芯片亮度；采用的技术方案为：在蓝光LED用P-N电极上，P-GaN电极和N-GaN电极表面依次镀薄层Cr镀膜，Ag镀膜，Cr镀膜和Al镀膜。其中薄层Cr镀膜的厚度为10-100Å，Ag镀膜的厚度为1-5kÅ，Cr镀膜的厚度为1-5kÅ，Al镀膜的厚度为5-30kÅ。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 电极 | ||
【主权项】：
一种蓝光LED用P‑N电极，其特征在于，所述蓝光LED用P‑N电极包括P‑GaN电极（1），N‑GaN电极（2），在P‑GaN电极（1）和N‑GaN电极（2）上依次覆盖有薄层Cr镀膜（3），Ag镀膜（4），Cr镀膜（5）和Al镀膜（6）, 所述薄层Cr镀膜（3）的厚度为10‑100Å。
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