[实用新型]一种发光二极管的新型窗口层结构

摘要

本实用新型涉及一种发光二极管的新型窗口层结构，属于发光二极管技术领域,为解决电流拥挤、电压过高的技术问题，提供了一种结构简单，使用方便，有效地解决大电流注入下的拥挤效应，降低电压的发光二极管的新型窗口层结构,所采用的技术方案为砷化镓基板上设置有n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓缓冲层上设置有n型磷化铟铝限制层，n型磷化铟铝限制层上设置有多重量子阱有源层，多重量子阱有源层上设置有p型磷化铟铝限制层，p型磷化铟铝限制层上设置有p型过渡层，p型过渡层的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层，应变磷化铟镓窗口层上还设置有p型磷化镓窗口层;本实用新型结构简单，减少电流拥挤，降低电压，广泛用于发光二极管。

主权项

一种发光二极管的新型窗口层结构,其特征在于：包括：砷化镓基板（1），所述砷化镓基板（1）上设置有n型砷化镓缓冲层（2），所述n型砷化镓缓冲层（2）上设置有n型磷化铟铝限制层（4），所述n型磷化铟铝限制层（4）上设置有多重量子阱有源层（5），所述多重量子阱有源层（5）上设置有p型磷化铟铝限制层（6）,p型磷化铟铝限制层（6）上设置有p型过渡层（7），所述p型过渡层（7）的上设置有p型应变磷化铟镓窗口层（8），所述应变磷化铟镓窗口层（8）上还设置有p型磷化镓窗口层（9）。