[实用新型]一种新型的MOCVD喷淋头清洁用刷头有效
申请号: | 201520213249.0 | 申请日: | 2015-04-09 |
公开(公告)号: | CN204644465U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 罗睿宏;梁智文;刘南柳;汪青;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523518 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种新型的MOCVD喷淋头清洁用刷头,主要借助快速抽气圆环、软圆环挡圈(设置在快速抽气圆环的顶端与喷淋头相接触处)等新结构,来减少清洁喷淋头时的泄漏、增加吸力,以便在清洁MOCVD喷淋头时,把清洁过程中掉落的所有III-V化合物颗粒和灰尘瞬间抽走,防止它们掉落在石墨托盘上或者漂浮在反应室中,从而使反应室保持良好的生长环境,其结构设计简单,经济和适用性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 mocvd 喷淋 清洁 用刷头 | ||
【主权项】:
一种新型的MOCVD喷淋头清洁用刷头,其特征在于,包括:快速抽气圆环(11)、软圆环挡圈(12)、内抽气通道(31)及刷头毛须(21);所述新型结构与其后端配置的抽速调节阀(41)联合使用,能把清洁喷淋头时掉落的所有III‑V化合物颗粒和灰尘瞬间抽走,从而使MOCVD反应器保持良好的生长环境。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的