[实用新型]一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅有效
| 申请号： | 201520219144.6 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN204595252U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 孙禹;宋立;马煜;陈震;许凯;王铁军 | 申请（专利权）人： | 长飞（武汉）光系统股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/024 | 分类号： | G02B6/024 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅，它包括光纤纤芯和包层，光纤纤芯和包层上横向等间距阵列有调制幅度的刻痕，所述刻痕由紫外激光刻写形成，位于光纤纤芯中心的刻痕的深度最深，其它刻痕以位于光纤纤芯中心的刻痕为中心向两侧对称分布，刻痕深度依次递减，折射率分布的直流分量保持恒定值，相邻刻痕3的间距为345nm～366nm，所述保偏光纤切趾光栅的带宽小于或者等于1.2nm，旁瓣抑制比大于或者等于-25dB。该保偏光纤切趾光栅的旁瓣抑制比大于或者等于-25dB，以最大程度减小旁瓣，具有更高和更稳定的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高旁瓣 抑制 偏光 纤切趾 光栅 | ||
【主权项】：
一种高旁瓣抑制比的保偏光纤切趾光栅，其特征在于，它包括光纤纤芯和包层，光纤纤芯和包层上横向等间距阵列有调制幅度的刻痕，所述刻痕由紫外激光刻写形成，位于光纤纤芯中心的刻痕的深度最深，其它刻痕以位于光纤纤芯中心的刻痕为中心向两侧对称分布，刻痕深度依次递减，折射率分布的直流分量保持恒定值，相邻刻痕3的间距为345nm～366nm，所述保偏光纤切趾光栅的带宽小于或者等于1.2nm，旁瓣抑制比大于或者等于‑25dB。
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