[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201520219256.1 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN204577455U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘兴华 | 申请（专利权）人： | 厦门市晶田电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/60;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底、n型GaN层、量子阱MWQ层、p型GaN层、Si基板、焊接层、反射层、过渡层和欧姆电极，所述n型GaN层、MWQ层和p型GaN层分别依次设置于蓝宝石衬底上，所述焊接层包括第一焊接层和第二焊接层，所述欧姆电极包括n型电极和p型电极，所述n型GaN层远离蓝宝石衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述量子阱MWQ层和p型GaN层依次设置于第一表面上，所述p型电极设置于p型GaN层上并通过第一焊接层与Si基板连接，所述n型电极设置于第二表面上并通过第二焊接层与Si基板连接。本实用新型的倒装LED芯片具有可以提高出光效率、光利用效率和LED输出功率的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底、n型GaN层、量子阱MWQ层、p型GaN层、Si基板、焊接层、反射层、过渡层和欧姆电极，所述n型GaN层、量子阱MWQ层和p型GaN层分别依次设置于蓝宝石衬底上，所述焊接层包括第一焊接层和第二焊接层，所述欧姆电极包括n型电极和p型电极，所述n型GaN层远离蓝宝石衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述量子阱MWQ层和p型GaN层依次设置于第一表面上，所述p型电极设置于p型GaN层上并通过第一焊接层与Si基板连接，所述n型电极设置于第二表面上并通过第二焊接层与Si基板连接，所述蓝宝石衬底远离n型GaN层的一面具有粗化结构，所述Si基板与第一焊接层、第二焊接层之间分别设有反射层，所述过渡层设置于反射层与第一焊接层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市晶田电子有限公司，未经厦门市晶田电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520219256.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种立式LED封装支架
- 下一篇：一种背钝化太阳能电池的背面钝化模开槽结构
