[实用新型]一种功率型LED芯片有效
| 申请号： | 201520219576.7 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN204577453U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘兴华 | 申请（专利权）人： | 厦门市晶田电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/64;H01L33/60;H01L33/02 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率型LED芯片，包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极，所述GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极分别依次设置于衬底上，所述欧姆电极包括P型电极和N型电极，所述N型GaN层远离衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述多量子阱发光层设置于第一表面上，所述P型电极设置于P型GaN层远离衬底的一面，所述N型电极设置于第二表面上，所述衬底的材质为Si。本实用新型的功率型LED芯片具有成本低、热导率高、可靠性高和取光效率高的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种功率型LED芯片，其特征在于，包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极，所述GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极分别依次设置于衬底上，所述欧姆电极包括P型电极和N型电极，所述N型GaN层远离衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述多量子阱发光层设置于第一表面上，所述P型电极设置于P型GaN层远离衬底的一面，所述N型电极设置于第二表面上，所述衬底的材质为Si。
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