[实用新型]应用于M-BUS接口通信的动态阈值比较电路有效

专利信息
申请号: 201520221551.0 申请日: 2015-04-13
公开(公告)号: CN204576502U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 徐义强;施家鹏;曾红霞 申请(专利权)人: 无锡新硅微电子有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 林弘毅;聂汉钦
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种应用于M-BUS接口通信的动态阈值比较电路,利用电容的稳压特性,通过设计充电和放电时电流的大小,使得动态电压能始终与总线最高电平间有个稳定的差值,当总线电压由于阻抗损耗导致电压值偏小时,动态电压会相应的跟随其变化,使得比较器的翻转阈值不再是一个固定量,从而消除了线缆阻抗对通信精度的影响。
搜索关键词: 应用于 bus 接口 通信 动态 阈值 比较 电路
【主权项】:
一种应用于M‑BUS接口通信的动态阈值比较电路,其特征在于,包括PMOS管MP1‑MP4,NMOS管MN1‑MN7,三极管QN1‑QN3,二极管D1‑D3,电阻R1‑R2,电容C以及反相器G;PMOS管MP2的源极接总线电压端,PMOS管MP2的漏极分别接于PMOS管MP3和PMOS管MP4的源极,PMOS管MP3的漏极分别接于NMOS管MN3的漏极、NMOS管MN3和NMOS管MN4的栅极,PMOS管MP4的漏极与NMOS管MN4的漏极相连,NMOS管MN3和NMOS管MN4的源极接公共地端;PMOS管MP3的栅极分别接于三极管QN1和三极管QN2的集电极,三极管QN1和三极管QN2的基极、发射极共接;二极管D3的正极与三极管QN2的发射极相连,负极与PMOS管MP2的漏极相连;NMOS管MN2的漏极与三极管QN1的集电极相连,NMOS管MN2的源极接公共地端;电容C连接在QN1的集电极和公共地端之间;NMOS管MN6的源极与三极管QN1的发射极相连,NMOS管MN6的栅极与NMOS管MN1的漏极相连,NMOS管MN6的漏极与PMOS管MP1的漏极相连,NMOS管MN1的源极接公共地端,PMOS管MP1的源极接总线电压端;二极管D1的正极与NMOS管MN6的源极相连,负极与NMOS管MN6的栅极相连;二极管D2的正极与NMOS管MN6的源极相连,负极与NMOS管MN6的漏极相连;电阻R1连接在NMOS管MN1的漏极和总线电压端之间;PMOS管MP4的栅极分别接于三极管QN3的集电极和NMOS管MN5的漏极,三极管QN3的基极和发射极共接于NMOS管MN7的源极,NMOS管MN7的漏极接总线电压端,电阻R2连接在NMOS管MN7的栅极和漏极之间,NMOS管MN5的源极接公共地端;PMOS管MP4的漏极和NMOS管MN4的漏极共接于反相器G的输入端,反相器G的输出端输出TTL电平。
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