[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201520223852.7 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN204885144U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 富田和朗;竹若博基 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括矩形形状的半导体芯片，所述半导体芯片包括：沿所述半导体芯片的端边配置的多个焊盘；设置于所述多个焊盘的每一个的引出布线部；和设置于所述多个焊盘的每一个与所述引出布线部的连接部位的倾斜部。
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