[实用新型]一种功率器件的QFN封装结构有效
| 申请号： | 201520226196.6 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN204516748U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 卢涛;张小平 | 申请（专利权）人： | 江苏晟芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率器件的QFN封装结构，包括双面半导体芯片、框架、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚、第二引脚分别通过导线与双面半导体芯片电连接，所述双面半导体芯片和框架通过导电胶粘合，所述双面半导体芯片边缘对应位置的框架内侧依次设有绝缘胶槽和直角梯形溢胶槽，所述绝缘胶槽内涂满绝缘胶，所述直角梯形溢胶槽用于收集双面半导体芯片和框架压溢出的导电胶和绝缘胶，本实用新型的技术方案对双面半导体芯片无任何损伤，提供了绝缘隔离，确保导电胶无法与芯片短路，提高了产品成品率，使得加工生产更为简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 qfn 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种功率器件的QFN封装结构，包括双面半导体芯片、框架、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚、第二引脚分别通过导线与双面半导体芯片电连接，所述双面半导体芯片和框架通过导电胶粘合，其特征在于，所述双面半导体芯片边缘对应的框架位置表面上向内按序设有绝缘胶槽和直角梯形溢胶槽，所述绝缘胶槽内涂满绝缘胶，所述直角梯形溢胶槽用于收集双面半导体芯片和框架压溢出的导电胶和绝缘胶。
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