[实用新型]发光二极管芯片的镀膜治具有效
| 申请号： | 201520240419.4 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN204570034U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 杨剑;王远红;苗振林;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管芯片的镀膜治具，所述镀膜治具包括一个圆形边框；所述圆形边框的直径大于发光二极管芯片的直径；所述圆形边框的内侧，设有至少3个支撑角；所述支撑角的上表面为平面；所述支撑角的内边缘，到所述圆形边框圆心的距离，不大于所述发光二极管芯片的半径；所述支撑角的尺寸，不大于预设的第一阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 镀膜 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的镀膜治具，其特征在于：所述镀膜治具包括一个圆形边框；所述圆形边框的直径大于发光二极管芯片的直径；所述圆形边框的内侧，设有至少3个支撑角；所述支撑角的上表面为平面；所述支撑角的内边缘，到所述圆形边框圆心的距离，不大于所述发光二极管芯片的半径；所述支撑角的尺寸，不大于预设的第一阈值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520240419.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LCD-EBAM集成打印设备
- 下一篇：一种手机屏幕镀膜夹具
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
