[实用新型]氮化物发光二极体结构有效
| 申请号： | 201520246088.5 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN204651340U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;谢翔麟;谢祥彬;黄文宾;张家宏;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种氮化物发光二极体结构，包括：衬底、在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱有源层、P型层，其特征在于：所述P型层由含铝氮化物层和厚度小于或等于100埃的P型接触层组成，所述含铝氮化物层为AlGaN层或AlGaN/GaN的超晶格结构层。本实用新型通过控制P型接触层的杂质浓度和减小P型接触层的厚度，提高载流子的迁移速率，同时降低了P型接触层对光的吸收，进而提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 二极体 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极体结构，包括：衬底、在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱有源层、P型层，其特征在于：所述P型层由含铝氮化物层和厚度小于或等于100埃的P型接触层组成，所述含铝氮化物层为AlGaN层或AlGaN/GaN的超晶格结构层。
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