[实用新型]一种基于极化场效应的无铯型AlGaN光电阴极有效
| 申请号： | 201520251037.1 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN204809182U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 沈洋;陈亮;苏玲爱;董艳燕 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于极化场效应的无铯型AlGaN光电阴极，其整体结构组成部分由两个接触极、C面蓝宝石衬底层、P型AlN层、P型AlGaN层、硅元素δ掺杂层、n+AlGaN层和真空层构成；通过利用近表面的硅元素δ掺杂来实现负电子亲和势的特性，再在此结构基础上覆盖一层高掺杂n+AlGaN层来实现晶格匹配并解决自旋极化电荷在阴极表面的出现，使得经过处理后的阴极获得“永久性”的负电子亲和势的特性，大大提高了阴极本身的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极化 场效应 无铯型 algan 光电 阴极 | ||
【主权项】：
一种基于极化场效应的无铯型AlGaN光电阴极，其整体结构组成部分由接触极(1)、C面蓝宝石衬底层(2)、P型AlN层(3)、P型AlGaN层(4)、硅元素δ掺杂层(5)、n+AlGaN层(6)和真空层(7)以及接触极(8)构成；通过利用近表面的硅元素δ掺杂来实现负电子亲和势的特性，再在此结构基础上覆盖一层高掺杂n+AlGaN层来实现晶格匹配并解决自旋极化电荷在阴极表面的出现，使得经过处理后的阴极获得负电子亲和势的特性。
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