[实用新型]采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘有效
申请号: | 201520251738.5 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN204560018U | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | 张南国 | 申请(专利权)人: | 常州市协和电路板有限公司 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213103 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。本实用新型采用光敏性聚酰亚胺,使得聚酰亚胺化学蚀刻达到最理想的效果;并且开口的蚀刻度很高,这样当它们与半导体连接或弯曲与另外一个导体层相连时,周边的支撑壁就可以与柱形引线垂直来对引线提供足够的支持。 | ||
搜索关键词: | 采用 聚酰亚胺 蚀刻 形成 fpcb 焊盘 | ||
【主权项】:
一种采用聚酰亚胺蚀刻液形成的FPCB焊盘,其特征在于:包括基层薄膜层;所述的基层薄膜层内设置有由金属箔布图制作而成的金属配线;所述的基层薄膜层的表面设置有由聚酰亚胺蚀刻液蚀刻而成的树脂层;所述的树脂层设置有开口;所述的开口的深度大于与之连接的半导体的柱形引线的高度的三分之二。
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