[实用新型]一种高压超结MOSFET结构有效
| 申请号： | 201520255886.4 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN204596793U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;钱振华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高压超结MOSFET结构，该结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括：N型重掺杂衬底及形成于其上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层中形成有第一P柱及第二P柱；所述第一P柱及第二P柱顶端分别连接有第一P型体区及第二P型体区，且所述第一P型体区及第二P型体区位于所述N型轻掺杂外延层内；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构；所述栅极结构位于所述第一P柱及第二P柱之间，且所述栅极结构两端分别与所述第一P型体区及第二P型体区接触；其中：所述第一P柱及第二P柱底端均连接有一P岛结构。本实用新型可以有效提高超结MOSFET结构的耐压性能，使得超结MOSFET结构进一步往高压/超高压方向前进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种高压超结MOSFET结构，包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括：N型重掺杂衬底及形成于所述N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层；所述N型轻掺杂外延层中形成有第一P柱及第二P柱；所述第一P柱及第二P柱顶端分别连接有第一P型体区及第二P型体区，且所述第一P型体区及第二P型体区位于所述N型轻掺杂外延层内；所述N型轻掺杂外延层表面形成有栅极结构；所述栅极结构位于所述第一P柱及第二P柱之间，且所述栅极结构两端分别与所述第一P型体区及第二P型体区接触；其特征在于：所述第一P柱及第二P柱底端均连接有一P岛结构。
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