[实用新型]一种H桥式换流驱动控制电路

摘要

本实用新型公开了一种H桥式换流驱动控制电路，驱动电源正极、场效应晶体管Q9、半导体制冷器J1、场效应晶体管Q11、驱动电源负极构成左上右下供电回路，驱动电源正极、场效应晶体管Q12、半导体制冷器J1、场效应晶体管Q10、驱动电源负极构成右上左下供电回路，当第一驱动信号为高电平且第二驱动信号为低电平时，左上右下供电回路导通，半导体制冷器J1处于制冷状态，当第一驱动信号为低电平且第二驱动信号为高电平时，右上左下供电回路导通，半导体制冷器J1处于制热状态。本实用新型通过两路驱动信号即可实现四个场效应晶体管的驱动，且不需要采用昂贵的集成芯片与隔离变压器，因此，减少了电子元件需求量和降低了电路的复杂度。

主权项

一种H桥式换流驱动控制电路，其特征在于，其包括场效应晶体管Q9、场效应晶体管Q10、场效应晶体管Q11、场效应晶体管Q11、半导体制冷器J1、第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、第四控制电路、电容C1、电容C2、双向稳压管D1、双向稳压管D2、第一驱动信号、第二驱动信号、驱动电源正极、驱动电源负极，所述驱动电源负极接地，所述第一控制电路的输入端分别连接所述第一驱动信号、所述驱动电源正极，所述第一控制电路的输出端接地且分别与所述场效应晶体管Q11的栅极、所述场效应晶体管Q11的源极连接，所述第二控制电路的输入端连接所述第一驱动信号，所述第二控制电路的输出端分别与场效应晶体管Q9的栅极、所述场效应晶体管Q9的源极连接，所述电容C1的一端经双向稳压管D1分别与所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q9的漏极连接，所述电容C1的另一端与所述场效应晶体管Q9的源极连接，所述第三控制电路的输入端分别连接所述第二驱动信号，所述驱动电源正极，所述第三控制电路输出端接地且分别与所述场效应晶体管Q10的栅极、所述场效应晶体管Q10的源极连接，所述电容C2的一端经双向稳压管D2分别与所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q12的漏极连接，所述电容C2的另一端与所述场效应晶体管Q12的源极连接，所述半导体制冷器J1一端与所述场效应晶体管Q9的源极、所述场效应晶体管Q10的漏极连接，所述半导体制冷器J1另一端与所述场效应晶体管Q12的源极、所述场效应晶体管Q11的漏极连接，当所述第一驱动信号为高电平且所述第二驱动信号为低电平时，所述第一控制电路控制场效应晶体管Q11导通，所述驱动电源正极经第一控制电路、场效应晶体管Q11、半导体制冷器J1为电容C1充电，以致所述场效应晶体管Q9导通，所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q9、所述半导体制冷器J1、所述场效应晶体管Q11、所述驱动电源负极构成一个左上右下供电回路，所述半导体制冷器J1处于制冷状态，当所述第一驱动信号为低电平且所述第二驱动信号为高电平时，所述第三控制电路用于控制所述场效应晶体管Q10的导通，所述驱动电源正极经第三控制电路、场效应晶体管Q10、半导体制冷器J1为电容C2充电，以致所述场效应晶体管Q12导通，所述驱动电源正极、所述场效应晶体管Q12、所述半导体制冷器J1、所述场效应晶体管Q10、所述驱动电源负极构成一个右上左下供电回路，所述半导体制冷器J1处于制热状态。