[实用新型]湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机有效
| 申请号： | 201520257769.1 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN204596768U | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘峻承;涂智超;黄于维 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及湿法刻蚀技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀器件和湿法刻蚀机，本实用新型技术方案在基于传统湿法刻蚀器件结构的基础上，于上压滚轴上开设若干通孔，当对一产品进行湿法刻蚀时，将该产品放置存储有刻蚀液的刻蚀凹槽中，通过下压滚轴对其传送，同时通过位于下压滚轴之上的上压滚轴对其进行微压，进而完成刻蚀工艺，在刻蚀过程中因所开设的若干通孔方便于刻蚀液的流动，进而通过提高在进行湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀性，以提高产品进行湿法刻蚀工艺的刻蚀速率的均匀度，一定程度上减少了产品的关键尺寸失真缺陷，提高了产品良率以及降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 器件 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀器件，应用于湿法刻蚀工艺中，其特征在于，所述器件包括：上压滚轴，所述上压滚轴上开设有通孔，以用于提高所述湿法刻蚀工艺中刻蚀液流场的均匀度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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