[实用新型]高密度电路薄膜有效
| 申请号： | 201520289542.5 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN204614786U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 胡迪群 | 申请（专利权）人： | 胡迪群 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 潘诗孟 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度电路薄膜，包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层，下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层，下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫，第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度；上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方，具有上层电路与上层绝缘层，上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫，第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫，第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。本实用新型适用于晶片封装用。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电路 薄膜 | ||
【主权项】：
一种高密度电路薄膜，其特征是，包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层，其中：下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层，下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫，第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度；上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方，具有上层电路与上层绝缘层，上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫，第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫，第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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